г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

NTE2381 NTE Electronics

Артикул
NTE2381
Бренд
NTE Electronics
Описание
MOSFET P-CHANNEL 500V 2.7A TO220, P-Channel 500 V 2.7A (Tc) 85W (Tc) Through Hole TO-220
Цена
1 619 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/NTE2381.jpg
FET Type
P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.9Ohm @ 1.35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
660 pF @ 25 V
FET Feature
-
Supplier Device Package
TO-220
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case
TO-220-3
Series
-
Package
Bag
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
Other Names
2368-NTE2381
Standard Package
1
Power Dissipation (Max)
85W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: 2N3439
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 350V 1A TO39, Bipolar (BJT) Transistor NPN 350 V 1 A 15MHz 1 W Through Hole TO-39
Подробнее
Артикул: MJ2955
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS PNP 60V 15A TO3, Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 15 A - 115 W Chassis Mount TO-3
Подробнее
Артикул: NTE197
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS PNP 70V 7A TO220, Bipolar (BJT) Transistor PNP 70 V 7 A 10MHz 40 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: MJ15016
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-PNP SI- HIGH POWER AUDIO TO-3, Bipolar (BJT) Transistor PNP 120 V 15 A 18MHz 180 W Through Hole TO-3
Подробнее
Артикул: 1N5258B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 36V 500MW, Zener Diode 36 V 500 mW ±0.5% Through Hole -
Подробнее
Артикул: 1N5346B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 9.1V 5W AXIAL, Zener Diode 9.1 V 5 W ±5% Through Hole Axial
Подробнее