г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

NTE2633 NTE Electronics

Артикул
NTE2633
Бренд
NTE Electronics
Описание
T-NPN SI VIDEO DR 1GHZ TO-126, RF Transistor NPN 95V 300mA 1.2GHz 3W Through Hole TO-126
Цена
239 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - RF, Транзисторы - биполярные (BJT) - радиочастотные
Image
files/NTE2633.jpg
REACH Status
REACH info available upon request
Supplier Device Package
TO-126
Gain
-
Power - Max
3W
Current - Collector (Ic) (Max)
300mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
95V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
20 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition
1.2GHz
Transistor Type
NPN
Standard Package
1
Other Names
2368-NTE2633
HTSUS
8541.29.0095
Series
-
Package
Bag
Part Status
Active
Operating Temperature
175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-225AA, TO-126-3
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
Noise Figure (dB Typ @ f)
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: NTE6412
Бренд: NTE Electronics
Описание: D-DIAC 63V+-7V 2A, Diac/Sidac Thyristor 56 ~ 70V -
Подробнее
Артикул: 2N3054
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 55V 4A TO66, Bipolar (BJT) Transistor NPN 55 V 4 A 3MHz 25 W Through Hole TO-66
Подробнее
Артикул: 1N5395
Бренд: NTE Electronics
Описание: R-SI 400V 1.5A, Diode Standard 400 V 1.5A Through Hole DO-15
Подробнее
Артикул: 1N4150
Бренд: NTE Electronics
Описание: D-SI 50PRV .001A, Diode Standard 50 V 200mA Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: 2N5551
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- HIV AMP, Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 200 mA 300MHz 625 mW Through Hole TO-92
Подробнее
Артикул: 1N821A
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 6.2V 400MW DO35, Zener Diode 6.2 V 400 mW ±5% Through Hole DO-35
Подробнее