г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

NTE5247A NTE Electronics

Артикул
NTE5247A
Бренд
NTE Electronics
Описание
DIODE ZENER 6.8V 50W DO5, Zener Diode 6.8 V 50 W ±5% Chassis, Stud Mount DO-5
Цена
4 626 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Zener - Single, Диоды - диоды Зенера - одиночные
Image
files/NTE5247A.jpg
Voltage - Zener (Nom) (Vz)
6.8 V
Power - Max
50 W
Tolerance
±5%
Supplier Device Package
DO-5
Package / Case
DO-203AB, DO-5, Stud
Standard Package
1
Other Names
2368-NTE5247A
HTSUS
8541.10.0050
ECCN
EAR99
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Operating Temperature
-65°C ~ 175°C
Mounting Type
Chassis, Stud Mount
Part Status
Active
Package
Bag
Series
-
Impedance (Max) (Zzt)
0.2 Ohms

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: MJ10016
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- PO HIV DARL, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 500 V 50 A - 250 W Through Hole TO-3
Подробнее
Артикул: 2N5038
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 90V 20A TO3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 90 V 20 A 60MHz 140 W Through Hole TO-3
Подробнее
Артикул: 1N5342B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 6.8V 5W AXIAL, Zener Diode 6.8 V 5 W ±5% Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: 2N3392
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 25V 500MA TO92-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 25 V 500 mA - 625 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: MPSL51
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-PNP SI- HIV AMP, Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 200 mA 60MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: MPS6518
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-PNP SI- AUDIO AMP, Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 200 mA - 625 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее