г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

NTE5805 NTE Electronics

Артикул
NTE5805
Бренд
NTE Electronics
Описание
R-500 PRV 3A AXIAL LEAD, Diode Standard 500 V 3A Through Hole DO-27
Цена
131 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
Image
files/NTE5805.jpg
Package / Case
DO-201AA, DO-27, Axial
Supplier Device Package
DO-27
Diode Type
Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
500 V
Current - Average Rectified (Io)
3A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1.2 V @ 9.4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr
500 µA @ 500 V
Capacitance @ Vr, F
-
Speed
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Standard Package
1
Series
-
Package
Bag
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
Other Names
2368-NTE5805
Operating Temperature - Junction
-65°C ~ 175°C

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: UF5400
Бренд: NTE Electronics
Описание: R-50V 3A ULTRA FAST, Diode Standard 50 V 3A Through Hole DO-201AD
Подробнее
Артикул: 2N3906
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-PNP SI-GEN PUR AMP SW, Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 200 mA 250MHz 625 mW Through Hole TO-92
Подробнее
Артикул: 1N5395
Бренд: NTE Electronics
Описание: R-SI 400V 1.5A, Diode Standard 400 V 1.5A Through Hole DO-15
Подробнее
Артикул: 1N5336B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 4.3V 5W AXIAL, Zener Diode 4.3 V 5 W ±5% Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: PN4393
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-JFET- N CHANNEL, JFET N-Channel 30 V 625 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: 2N5551
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- HIV AMP, Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 200 mA 300MHz 625 mW Through Hole TO-92
Подробнее