г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

PN2222A NTE Electronics

Артикул
PN2222A
Бренд
NTE Electronics
Описание
TRANS NPN 40V 600MA TO92-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 600 mA 270MHz 500 mW Through Hole TO-92-3
Цена
17 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/PN2222A.jpg
Supplier Device Package
TO-92-3
Power - Max
500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
40 V
Current - Collector (Ic) (Max)
600 mA
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max)
10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Standard Package
1
Other Names
2368-PN2222A
Series
-
Package
Bag
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Frequency - Transition
270MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: 1N829A
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35, Zener Diode 6.2 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35 (DO-204AH)
Подробнее
Артикул: TIP112
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- PO DARLINGTON, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 2 A - 2 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: UF5404
Бренд: NTE Electronics
Описание: R-400V 3A ULTRA FAST, Diode Standard 400 V 3A Through Hole DO-201AD
Подробнее
Артикул: 1N5249B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 19V 500MW, Zener Diode 19 V 500 mW ±5% Through Hole -
Подробнее
Артикул: NTE177
Бренд: NTE Electronics
Описание: D-SI-GEN PURP DET 200 PRV, Diode Standard 200 V 250mA Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: MMBTA06
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- DRIVER, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 500 mA 100MHz 350 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее