г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: с 9-00 до 21-00
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

PN2907A NTE Electronics

Артикул
PN2907A
Бренд
NTE Electronics
Описание
TRANS PNP 60V 600MA TO92-3, Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 600 mA 200MHz 500 mW Through Hole TO-92-3
Цена
17 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/PN2907A.jpg
Supplier Device Package
TO-92-3
Power - Max
500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V
Current - Collector (Ic) (Max)
600 mA
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max)
10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Standard Package
1
Other Names
2368-PN2907A
Series
-
Package
Bag
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Frequency - Transition
200MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: TIP31B
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- AF PO, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 3 A 3MHz 2 W Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: 1N5061
Бренд: NTE Electronics
Описание: R-600PRV 1A, Diode Standard 600 V 2A Through Hole SOD-64
Подробнее
Артикул: 2N2925
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 25V 100MA TO92, Bipolar (BJT) Transistor NPN 25 V 100 mA 160MHz 360 mW Through Hole TO-92
Подробнее
Артикул: 1N5223B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 2.7V 500MW, Zener Diode 2.7 V 500 mW ±5% Through Hole
Подробнее
Артикул: TIP116
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-PNP SI- PO DARLINGTON, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 80 V 2 A 25MHz 50 W Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: IRF350
Бренд: NTE Electronics
Описание: MOSFET N-CH 400V 14A TO3, N-Channel 400 V 14A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-3
Подробнее