TIP111 NTE Electronics
Артикул
TIP111
Бренд
NTE Electronics
Описание
T-NPN SI- PO DARLINGTON, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80 V 2 A 25MHz 50 W Through Hole TO-220-3
Цена
172 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/TIP111.jpg
Supplier Device Package
TO-220-3
Power - Max
50 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Transistor Type
NPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
2.5V @ 8mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max)
2mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
1000 @ 1A, 4V
Package / Case
TO-220-3
Standard Package
1
Other Names
2368-TIP111
Series
-
Package
Bag
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
RoHS Status
RoHS non-compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Frequency - Transition
25MHz
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут