TIP112 NTE Electronics
Артикул
TIP112
Бренд
NTE Electronics
Описание
T-NPN SI- PO DARLINGTON, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 2 A - 2 W Through Hole TO-220
Цена
179 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/TIP112.jpg
Supplier Device Package
TO-220
Power - Max
2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Transistor Type
NPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
2.5V @ 8mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max)
2mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
1000 @ 1A, 4V
Package / Case
TO-220-3
Standard Package
1
Other Names
2368-TIP112
Series
-
Package
Bag
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
RoHS Status
RoHS non-compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Frequency - Transition
-
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут