г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

TIP146 NTE Electronics

Артикул
TIP146
Бренд
NTE Electronics
Описание
T-PNP SI- PO DARLINGTON, Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 10 A - 125 W Through Hole TO-218
Цена
468 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/TIP146.jpg
Supplier Device Package
TO-218
Power - Max
125 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V
Current - Collector (Ic) (Max)
10 A
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
-
Current - Collector Cutoff (Max)
-
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
1000 @ 5A, 4V
Package / Case
TO-218-3
Standard Package
1
Other Names
2368-TIP146
Series
-
Package
Bag
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
RoHS Status
RoHS non-compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Frequency - Transition
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: MJ10023
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- HIV SW DARL, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 400 V 40 A - 250 W Through Hole TO-3
Подробнее
Артикул: 2N3792
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS PNP 80V 10A TO3, Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 10 A - 150 W Through Hole TO-3
Подробнее
Артикул: 1N4731A
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 4.3V 1W AXIAL, Zener Diode 4.3 V 1 W ±0.5% Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: 1N5401
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE 3A 100V DO-201AD STD., Diode Standard 100 V 3A Through Hole DO-201AD
Подробнее
Артикул: NTE2633
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI VIDEO DR 1GHZ TO-126, RF Transistor NPN 95V 300mA 1.2GHz 3W Through Hole TO-126
Подробнее
Артикул: 1N5237B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 8.2V 500MW, Zener Diode 8.2 V 500 mW ±0.5% Through Hole -
Подробнее