г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

TIP31B NTE Electronics

Артикул
TIP31B
Бренд
NTE Electronics
Описание
T-NPN SI- AF PO, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 3 A 3MHz 2 W Through Hole TO-220-3
Цена
158 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/TIP31B.jpg
Supplier Device Package
TO-220-3
Power - Max
2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max)
300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
10 @ 3A, 4V
Package / Case
TO-220-3
Standard Package
1
Other Names
2368-TIP31B
Series
-
Package
Bag
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
RoHS Status
RoHS non-compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Frequency - Transition
3MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: NTE519
Бренд: NTE Electronics
Описание: D-SI-FAST SWITCHING, Diode Standard 100 V 150mA Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: TIP140
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- PO DARLINGTON, Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 10 A - 125 W Through Hole TO-218
Подробнее
Артикул: NTE2305
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 160V 16A TO3PN, Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 16 A 1MHz 125 W Through Hole TO-3PN
Подробнее
Артикул: UF5402
Бренд: NTE Electronics
Описание: R-200V 3A ULTRA FAST, Diode Standard 200 V 3A Through Hole DO-201AD
Подробнее
Артикул: 2N6488
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI-GEN PUR AMP SW, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 15 A 5MHz 1.8 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: 1N829A
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35, Zener Diode 6.2 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35 (DO-204AH)
Подробнее