г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

UF4003 NTE Electronics

Артикул
UF4003
Бренд
NTE Electronics
Описание
R-200V 1A ULTRA FAST, Diode Standard 200 V 1A Through Hole DO-41
Цена
33 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
Image
files/UF4003.jpg
Supplier Device Package
DO-41
Diode Type
Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
200 V
Current - Average Rectified (Io)
1A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1 V @ 1 A
Reverse Recovery Time (trr)
50 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr
10 µA @ 200 V
Capacitance @ Vr, F
17pF @ 4V, 1MHz
Package / Case
DO-204AL, DO-41, Axial
Speed
Fast Recovery = 200mA (Io)
Standard Package
1
Series
-
Package
Bag
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
RoHS Status
RoHS non-compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
Other Names
2368-UF4003
Operating Temperature - Junction
-65°C ~ 150°C

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: NTE576
Бренд: NTE Electronics
Описание: R-SI 400V 5AMP 35NS, Diode Standard 400 V 5A Through Hole DO-27
Подробнее
Артикул: 1N4002
Бренд: NTE Electronics
Описание: R-SI 100V 1A, Diode Standard 100 V 1A Through Hole DO-41
Подробнее
Артикул: NTE236
Бренд: NTE Electronics
Описание: RF TRANS NPN 25V TO220, RF Transistor NPN 25V 6A - 1.7W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: NTE577
Бренд: NTE Electronics
Описание: R-SI 1000V 5AMP 70NS, Diode Standard 1000 V 5A Through Hole DO-27
Подробнее
Артикул: 1N5059
Бренд: NTE Electronics
Описание: R-200PRV 1A, Diode Avalanche 200 V 3A Through Hole SOD-57
Подробнее
Артикул: 2N4123
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- GEN PUR AMP, Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 200 mA 250MHz 350 mW Through Hole TO-92
Подробнее