г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

UF4006 NTE Electronics

Артикул
UF4006
Бренд
NTE Electronics
Описание
R-800V 1A ULTRA FAST, Diode Standard 800 V 1A Through Hole DO-41
Цена
43 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
Image
files/UF4006.jpg
Supplier Device Package
DO-41
Diode Type
Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
800 V
Current - Average Rectified (Io)
1A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1.7 V @ 1 A
Reverse Recovery Time (trr)
75 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr
10 µA @ 800 V
Capacitance @ Vr, F
17pF @ 4V, 1MHz
Package / Case
DO-204AL, DO-41, Axial
Speed
Fast Recovery = 200mA (Io)
Standard Package
1
Series
-
Package
Bag
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
RoHS Status
RoHS non-compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
Other Names
2368-UF4006
Operating Temperature - Junction
-65°C ~ 150°C

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: TIP36A
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS PNP 60V 25A TO218, Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 25 A 3MHz 125 W Through Hole TO-218
Подробнее
Артикул: NTE2305
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 160V 16A TO3PN, Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 16 A 1MHz 125 W Through Hole TO-3PN
Подробнее
Артикул: 2N5551
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- HIV AMP, Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 200 mA 300MHz 625 mW Through Hole TO-92
Подробнее
Артикул: 1N4007
Бренд: NTE Electronics
Описание: R-SI 1000V 1A, Diode Standard 1000 V 1A Through Hole DO-41
Подробнее
Артикул: MJ10023
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- HIV SW DARL, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 400 V 40 A - 250 W Through Hole TO-3
Подробнее
Артикул: 1N4149
Бренд: NTE Electronics
Описание: D-SI 100PRV .01A, Diode Standard 100 V 500mA Through Hole DO-35
Подробнее