г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MRF8S18120HSR3 NXP Semiconductors

Артикул
MRF8S18120HSR3
Бренд
NXP Semiconductors
Описание
FET RF 65V 1.81GHZ NI-780S, RF Mosfet LDMOS 28 V 800 mA 1.81GHz 18.2dB 72W NI-780S
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - RF, Транзисторы - FETs, MOSFETs - RF
Image
files/MRF8S18120HSR3.jpg
Current - Test
800 mA
Noise Figure
-
Voltage - Test
28 V
Gain
18.2dB
Frequency
1.81GHz
Transistor Type
LDMOS
Voltage - Rated
65 V
Package / Case
NI-780S
Supplier Device Package
NI-780S
Standard Package
250
ECCN
5A991G
Base Product Number
MRF8
Current Rating (Amps)
-
Part Status
Obsolete
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Series
-
Power - Output
72W

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BAT54W,115
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: DIODE SCHOTTKY 30V 0.2A SOT323, Diode
Подробнее
Артикул: BC556B,116
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: TRANS PNP 65V 0.1A TO-92, Bipolar (BJT) Transistor PNP 65 V 100 mA 100MHz 500 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: BZX84-B12,215
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: NEXPERIA BZX84-B12 - ZENER DIODE, Zener Diode 12 V 250 mW ±2% Surface Mount TO-236AB
Подробнее
Артикул: BC559C,116
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: TRANS PNP 30V 0.1A TO-92, Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 100 mA 100MHz 500 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: BC860B,235
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: NEXPERIA BC860B - SMALL SIGNAL B, Bipolar (BJT) Transistor PNP 45 V 100 mA 100MHz 250 mW Surface Mount TO-236AB
Подробнее
Артикул: IRFR220,118
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK, N-Channel 200 V 4.8A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount DPAK
Подробнее