A2G35S200-01SR3 NXP Semiconductors
Артикул
A2G35S200-01SR3
Бренд
NXP Semiconductors
Описание
AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR, RF Mosfet GaN HEMT 48 V 291 mA 3.4GHz ~ 3.6GHz 16.1dB 180W NI-400S-2S
Цена
45 559 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - RF, Транзисторы - FETs, MOSFETs - RF
Image
files/A2G35S200-01SR3.jpg
Supplier Device Package
NI-400S-2S
REACH Status
REACH Unaffected
Current - Test
291 mA
Frequency
3.4GHz ~ 3.6GHz
Voltage - Rated
125 V
Power - Output
180W
Transistor Type
GaN HEMT
Gain
16.1dB
Voltage - Test
48 V
Package / Case
NI-400S-2S
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Base Product Number
A2G35
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
ECCN
DISC 3A001B3
HTSUS
8541.29.0075
Other Names
935320919118,A2G35S200-01SR3-ND,568-15206-6,568-15206-2,568-15206-1
Standard Package
250
Current Rating (Amps)
-
Noise Figure
-
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут