A2T18H455W23NR6 NXP Semiconductors
Артикул
A2T18H455W23NR6
Бренд
NXP Semiconductors
Описание
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO, RF Mosfet LDMOS 31.5 V 1.08 A 1.805GHz ~ 1.88GHz 14.5dB 56dBm OM-1230-4L2S
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - RF, Транзисторы - FETs, MOSFETs - RF
Series
-
Package / Case
OM-1230-4L2S
Other Names
935318707564
Voltage - Rated
65 V
Transistor Type
LDMOS
Frequency
1.805GHz ~ 1.88GHz
Gain
14.5dB
Voltage - Test
31.5 V
Noise Figure
-
Current - Test
1.08 A
Supplier Device Package
OM-1230-4L2S
REACH Status
REACH Unaffected
Package
Tape & Reel (TR)
Part Status
Obsolete
Current Rating (Amps)
10µA
Base Product Number
A2T18
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Standard Package
150
Power - Output
56dBm
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут