г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

A2T23H200W23SR6 NXP Semiconductors

Артикул
A2T23H200W23SR6
Бренд
NXP Semiconductors
Описание
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO, RF Mosfet LDMOS 28 V 500 mA 2.3GHz ~ 2.4GHz 15.5dB 51W ACP-1230S-4L2S
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - RF, Транзисторы - FETs, MOSFETs - RF
Series
-
Package / Case
ACP-1230S-4L2S
Other Names
2832-A2T23H200W23SR6,935347117128,A2T23H200W23SR6-ND
Voltage - Rated
65 V
Transistor Type
LDMOS
Frequency
2.3GHz ~ 2.4GHz
Gain
15.5dB
Voltage - Test
28 V
Noise Figure
-
Current - Test
500 mA
Supplier Device Package
ACP-1230S-4L2S
REACH Status
REACH Unaffected
Package
Tape & Reel (TR)
Part Status
Obsolete
Current Rating (Amps)
10µA
Base Product Number
A2T23
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Standard Package
150
Power - Output
51W

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BZX79-C36,133
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: DIODE ZENER 36V 400MW ALF2,
Подробнее
Артикул: BZX84-B12,215
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: NEXPERIA BZX84-B12 - ZENER DIODE, Zener Diode 12 V 250 mW ±2% Surface Mount TO-236AB
Подробнее
Артикул: BZX79-C33,143
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: NEXPERIA BZX79-C33 - ZENER DIODE, Zener Diode 33 V 400 mW ±5% Through Hole ALF2
Подробнее
Артикул: BTA212-600D,127
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: TRIAC SENS GATE 600V 12A TO220AB,
Подробнее
Артикул: BF861B,215
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: JFET N-CH 25V 15MA SOT23, RF Mosfet N-Channel JFET - - - SOT-23 (TO-236AB)
Подробнее
Артикул: A2G35S200-01SR3
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR, RF Mosfet GaN HEMT 48 V 291 mA 3.4GHz ~ 3.6GHz 16.1dB 180W NI-400S-2S
Подробнее