г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BAV170,215 NXP Semiconductors

Артикул
BAV170,215
Бренд
NXP Semiconductors
Описание
NEXPERIA BAV170 - RECTIFIER DIOD, Diode
Цена
3 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
Image
files/BAV170215.jpg
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Other Names
2156-BAV170,215-954
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BZX79-C16,133
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: DIODE ZENER 16V 400MW ALF2, Zener Diode 16 V 400 mW ±5% Through Hole ALF2
Подробнее
Артикул: A2G22S160-01SR3
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: IC TRANS RF LDMOS, RF Mosfet 48 V 150 mA 2.11GHz 19.6dB 32W NI-400S-2S
Подробнее
Артикул: 1N4732A,113
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: DIODE ZENER 4.7V 1W DO41,
Подробнее
Артикул: 1N4148,133
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2, Diode Standard 100 V 200mA (DC) Through Hole ALF2
Подробнее
Артикул: MRF6V2300NR1
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: FET RF 110V 220MHZ TO-270-4, RF Mosfet LDMOS 50 V 900 mA 220MHz 25.5dB 300W TO-270 WB-4
Подробнее
Артикул: A2G35S200-01SR3
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR, RF Mosfet GaN HEMT 48 V 291 mA 3.4GHz ~ 3.6GHz 16.1dB 180W NI-400S-2S
Подробнее

Ваша заявка принята