г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BC337-16,126 NXP Semiconductors

Артикул
BC337-16,126
Бренд
NXP Semiconductors
Описание
TRANS NPN 45V 0.5A TO92, Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 500 mA 100MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/BC337-16126.jpg
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Supplier Device Package
TO-92-3
REACH Status
REACH Unaffected
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45 V
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Power - Max
625 mW
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
700mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 100mA, 1V
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Base Product Number
BC33
Series
-
Package
Cut Tape (CT)Tape & Box (TB)
Part Status
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Other Names
BC33716126,BC337-16 AMO,568-1627-1,568-1627-3,933179580126
Standard Package
2,000
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Frequency - Transition
100MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: PMEG4005AEA115
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: PMEG4005AEA115,
Подробнее
Артикул: A3G26D055NT4
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: RF GAN MOSFET AIRFAST 8W 48V, RF Mosfet GaN 48 V 40 mA 100MHz ~ 2.69GHz 13.9dB 8W 6-PDFN (7x6.5)
Подробнее
Артикул: BAT54S,215
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA TO236AB,
Подробнее
Артикул: MRF1517NT1
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: FET RF 25V 520MHZ PLD-1.5, RF Mosfet LDMOS 7.5 V 150 mA 520MHz 14dB 8W PLD-1.5
Подробнее
Артикул: 2N5401,412
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: TRANS PNP 150V 0.3A TO-92, Bipolar (BJT) Transistor PNP 150 V 300 mA 300MHz 630 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: MRFE6VP61K25HR6
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230, RF Mosfet LDMOS (Dual) 50 V 100 mA 230MHz 24dB 1250W NI-1230
Подробнее