г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BC807-25,215 NXP Semiconductors

Артикул
BC807-25,215
Бренд
NXP Semiconductors
Описание
NEXPERIA BC807-25 - SMALL SIGNAL, Bipolar (BJT) Transistor PNP 45 V 500 mA 80MHz 250 mW Surface Mount TO-236AB
Цена
3 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/BC807-25215.jpg
Supplier Device Package
TO-236AB
Power - Max
250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45 V
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
160 @ 100mA, 1V
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type
Surface Mount
Series
Automotive, AEC-Q101
Package
Bulk
Part Status
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Other Names
2156-BC807-25,215-954
Standard Package
1
Operating Temperature
150°C (TJ)
Frequency - Transition
80MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: PN2907A,116
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: TRANS PNP 60V 0.6A TO92, Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 600 mA 200MHz 500 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: 1N4749A,133
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: NEXPERIA 1N4749A - ZENER DIODE,, Zener Diode 24 V 1 W ±5% Through Hole DO-41
Подробнее
Артикул: 1N4734A,113
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: DIODE ZENER 5.6V 1W DO-41,
Подробнее
Артикул: A2G22S251-01SR3
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR, RF Mosfet LDMOS 48 V 200 mA 1.805GHz ~ 2.2GHz 17.7dB 52dBm NI-400S-2S
Подробнее
Артикул: MRFE6P3300HR3
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: FET RF 66V 863MHZ NI-860C3, RF Mosfet LDMOS 32 V 1.6 A 857MHz ~ 863MHz 20.4dB 270W NI-860C3
Подробнее
Артикул: MPSA92,126
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: TRANS PNP 300V 0.1A SOT54, Bipolar (BJT) Transistor PNP 300 V 100 mA 50MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее