г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BZX84-B30,215 NXP Semiconductors

Артикул
BZX84-B30,215
Бренд
NXP Semiconductors
Описание
NEXPERIA BZX84-B30 - ZENER DIODE, Zener Diode 30 V 250 mW ±2% Surface Mount TO-236AB
Цена
3 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Zener - Single, Диоды - диоды Зенера - одиночные
Image
files/BZX84-B30215.jpg
Voltage - Zener (Nom) (Vz)
30 V
Current - Reverse Leakage @ Vr
50 nA @ 21 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
900 mV @ 10 mA
Tolerance
±2%
Power - Max
250 mW
Supplier Device Package
TO-236AB
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C
Standard Package
1
Other Names
2156-BZX84-B30,215-954
REACH Status
REACH Unaffected
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Part Status
Active
Package
Bulk
Series
Automotive, AEC-Q101
Impedance (Max) (Zzt)
80 Ohms

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BZX79-C6V2,113
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: DIODE ZENER 6.2V 400MW ALF2,
Подробнее
Артикул: BZX84-C5V1/215
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: DIODE ZENER, Zener Diode
Подробнее
Артикул: 2N3904,116
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: TRANS NPN 40V 0.2A TO92, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 200 mA 300MHz 500 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: BZX84-C20,215
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: DIODE ZENER 20V 250MW TO236AB,
Подробнее
Артикул: MMRF2010GNR1
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: TRANS RF LDMOS 250W 50V, RF Mosfet LDMOS 50 V 80 mA 1.09GHz 32.1dB 250W TO-270 WB-14 GULL
Подробнее
Артикул: MHT1006NT1
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: FET RF 65V 2.17GHZ PLD1.5W, RF Mosfet LDMOS 28 V 90 mA 2.17GHz 21.7dB 1.26W PLD-1.5W
Подробнее