г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MMRF1305HR5 NXP Semiconductors

Артикул
MMRF1305HR5
Бренд
NXP Semiconductors
Описание
FET RF 2CH 133V 512MHZ NI-780-4, RF Mosfet LDMOS (Dual) 50 V 100 mA 512MHz 26dB 100W NI-780-4
Цена
27 965 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - RF, Транзисторы - FETs, MOSFETs - RF
Image
files/MMRF1305HR5.jpg
Current - Test
100 mA
Noise Figure
-
Voltage - Test
50 V
Gain
26dB
Frequency
512MHz
Transistor Type
LDMOS (Dual)
Voltage - Rated
133 V
Package / Case
NI-780-4
Supplier Device Package
NI-780-4
Standard Package
50
ECCN
EAR99
Base Product Number
MMRF1305
Current Rating (Amps)
-
Part Status
Active
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Series
-
Power - Output
100W

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BC547B,116
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: TRANS NPN 45V 0.1A TO-92, Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 100 mA 100MHz 500 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: BZV55-C3V6,115
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: NEXPERIA BZV55-C3V6 - ZENER DIOD, Zener Diode 3.6 V 500 mW ±5% Surface Mount LLDS; MiniMelf
Подробнее
Артикул: BZX84-C20,235
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: DIODE ZENER 20V 250MW TO236AB,
Подробнее
Артикул: PBSS4021SP,115
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: TRANS 2PNP 20V 6.3A 8SO,
Подробнее
Артикул: A3T18H360W23SR6
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: 1.8GHZ 360W ACP1230S-4L2, RF Mosfet LDMOS 28 V 700 mA 1.8GHz ~ 1.88GHz 16.6dB 63W ACP-1230S-4L2S
Подробнее
Артикул: BZX79-C3V6,133
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: NEXPERIA BZX79-C3V6 - ZENER DIOD, Zener Diode 3.6 V 400 mW ±5% Through Hole ALF2
Подробнее