г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MPSA64,116 NXP Semiconductors

Артикул
MPSA64,116
Бренд
NXP Semiconductors
Описание
TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT54, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 30 V 500 mA 125MHz 500 mW Through Hole TO-92-3
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/MPSA64116.jpg
Supplier Device Package
TO-92-3
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Other Names
933601380116,MPSA64 T/R,MPSA64 T/R-ND
Transistor Type
PNP - Darlington
Power - Max
500 mW
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
20000 @ 100mA, 5V
REACH Status
REACH Unaffected
Standard Package
2,000
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Part Status
Obsolete
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Base Product Number
MPSA64
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Frequency - Transition
125MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BAS16W,115
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: NEXPERIA BAS16W - RECTIFIER DIOD, Diode Standard 100 V 175mA (DC) Surface Mount SOT-323
Подробнее
Артикул: MPSA06,412
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: TRANS NPN 80V 0.5A TO-92, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 500 mA 100MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: A2T18H455W23NR6
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO, RF Mosfet LDMOS 31.5 V 1.08 A 1.805GHz ~ 1.88GHz 14.5dB 56dBm OM-1230-4L2S
Подробнее
Артикул: BAW56W,135
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: NEXPERIA BAW56 - HIGH-SPEED SWIT, Diode Array
Подробнее
Артикул: BC847CW,115
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: NEXPERIA BC847CW - SMALL SIGNAL, Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 100 mA 100MHz 200 mW Surface Mount SOT-323
Подробнее
Артикул: PN2222A,412
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: TRANS NPN 40V 0.6A TO92, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 600 mA 300MHz 500 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее