г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: с 9-00 до 21-00
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MRF282ZR1 NXP Semiconductors

Артикул
MRF282ZR1
Бренд
NXP Semiconductors
Описание
FET RF 65V 2GHZ NI-200Z, RF Mosfet LDMOS 26 V 75 mA 2GHz 11.5dB 10W NI-200Z
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - RF, Транзисторы - FETs, MOSFETs - RF
Series
-
Package / Case
NI-200Z
Other Names
MRF282ZR1CT,MRF282ZR1TR,MRF282ZR1DKR,MRF282ZR1-ND
Voltage - Rated
65 V
Transistor Type
LDMOS
Frequency
2GHz
Gain
11.5dB
Voltage - Test
26 V
Noise Figure
-
Current - Test
75 mA
Supplier Device Package
NI-200Z
REACH Status
REACH Unaffected
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Obsolete
Current Rating (Amps)
-
Base Product Number
MRF28
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0040
Standard Package
500
Power - Output
10W

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: MW6S010GMR1
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: FET RF 68V 960MHZ TO270-2GW, RF Mosfet LDMOS 28 V 125 mA 960MHz 18dB 10W TO-270-2 GULL
Подробнее
Артикул: BC81716215
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: MRF300AN
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: RF MOSFET LDMOS 50V TO247, RF Mosfet LDMOS 50 V 27MHz ~ 250MHz 28dB 300W TO-247
Подробнее
Артикул: PZTA14,135
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: NOW NEXPERIA PZTA14 - SMALL SIGN, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 30 V 500 mA 125MHz 1.25 W Surface Mount SOT-223
Подробнее
Артикул: MMRF1013HR5
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: FET RF 2CH 65V 2.9GHZ, RF Mosfet LDMOS (Dual) 30 V 100 mA 2.9GHz 13.3dB 320W NI-1230-4H
Подробнее
Артикул: 1N4448,143
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35, Diode Standard 100 V 200mA (DC) Through Hole ALF2
Подробнее