г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MRFE6VP61K25HR5 NXP Semiconductors

Артикул
MRFE6VP61K25HR5
Бренд
NXP Semiconductors
Описание
FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230, RF Mosfet LDMOS (Dual) 50 V 100 mA 230MHz 24dB 1250W NI-1230
Цена
61 732 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - RF, Транзисторы - FETs, MOSFETs - RF
Image
files/MRFE6VP61K25HR5.jpg
Current - Test
100 mA
Noise Figure
-
Voltage - Test
50 V
Gain
24dB
Frequency
230MHz
Transistor Type
LDMOS (Dual)
Voltage - Rated
133 V
Package / Case
NI-1230
Supplier Device Package
NI-1230
Standard Package
50
ECCN
EAR99
Base Product Number
MRFE6
Current Rating (Amps)
-
Part Status
Active
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Series
-
Power - Output
1250W

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BZX84-B4V7,215
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: NEXPERIA BZX84-B4V7 - ZENER DIOD, Zener Diode 4.7 V 250 mW ±2% Surface Mount TO-236AB
Подробнее
Артикул: BC849CW,135
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: NOW NEXPERIA BC849CW - SMALL SIG, Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 100 mA 100MHz 200 mW Surface Mount SOT-323
Подробнее
Артикул: 1N4732A,113
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: DIODE ZENER 4.7V 1W DO41,
Подробнее
Артикул: 1N4731A,113
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: DIODE ZENER 4.3V 1W DO41,
Подробнее
Артикул: PZT3906,115
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: TRANS PNP 40V 0.1A SOT-223, Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 100 mA 250MHz 1.05 W Surface Mount SC-73
Подробнее
Артикул: BZX79-C5V6,143
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: NOW NEXPERIA BZX79-C5V6 - ZENER, Zener Diode 5.6 V 400 mW ±5% Through Hole ALF2
Подробнее