г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MRFE6VP6300HR5 NXP Semiconductors

Артикул
MRFE6VP6300HR5
Бренд
NXP Semiconductors
Описание
FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780-4, RF Mosfet LDMOS (Dual) 50 V 100 mA 230MHz 26.5dB 300W NI-780-4
Цена
34 114 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - RF, Транзисторы - FETs, MOSFETs - RF
Image
files/MRFE6VP6300HR5.jpg
Current - Test
100 mA
Noise Figure
-
Voltage - Test
50 V
Gain
26.5dB
Frequency
230MHz
Transistor Type
LDMOS (Dual)
Voltage - Rated
130 V
Package / Case
NI-780-4
Supplier Device Package
NI-780-4
Standard Package
50
ECCN
EAR99
Base Product Number
MRFE6
Current Rating (Amps)
-
Part Status
Active
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Series
-
Power - Output
300W

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: AFT05MS006NT1
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: FET RF 30V 520MHZ PLD, RF Mosfet LDMOS 7.5 V 100 mA 520MHz 18.3dB 6W PLD-1.5W
Подробнее
Артикул: BZV55-C5V6,135
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: DIODE ZENER 5.6V 500MW LLDS,
Подробнее
Артикул: BC857B,215
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: NOW NEXPERIA BC857B - SMALL SIGN, Bipolar (BJT) Transistor PNP 45 V 100 mA 100MHz 250 mW Surface Mount TO-236AB
Подробнее
Артикул: A2T18H455W23NR6
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO, RF Mosfet LDMOS 31.5 V 1.08 A 1.805GHz ~ 1.88GHz 14.5dB 56dBm OM-1230-4L2S
Подробнее
Артикул: BC857BQAZ
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: NEXPERIA BC857 - 45 V, 100 MA PN, Bipolar (BJT) Transistor PNP 45 V 100 mA 100MHz 280 mW Surface Mount DFN1010D-3
Подробнее
Артикул: A2G35S200-01SR3
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR, RF Mosfet GaN HEMT 48 V 291 mA 3.4GHz ~ 3.6GHz 16.1dB 180W NI-400S-2S
Подробнее