г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MRFE6VP6300HR5 NXP Semiconductors

Артикул
MRFE6VP6300HR5
Бренд
NXP Semiconductors
Описание
FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780-4, RF Mosfet LDMOS (Dual) 50 V 100 mA 230MHz 26.5dB 300W NI-780-4
Цена
34 114 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - RF, Транзисторы - FETs, MOSFETs - RF
Image
files/MRFE6VP6300HR5.jpg
Current - Test
100 mA
Noise Figure
-
Voltage - Test
50 V
Gain
26.5dB
Frequency
230MHz
Transistor Type
LDMOS (Dual)
Voltage - Rated
130 V
Package / Case
NI-780-4
Supplier Device Package
NI-780-4
Standard Package
50
ECCN
EAR99
Base Product Number
MRFE6
Current Rating (Amps)
-
Part Status
Active
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Series
-
Power - Output
300W

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: MRF6V12500HR3
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: FET RF 110V 1.03GHZ NI-780H, RF Mosfet LDMOS 50 V 200 mA 1.03GHz 19.7dB 500W NI-780H-2L
Подробнее
Артикул: PSMN4R3-80PS,127
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: MOSFET N-CH 80V 120A TO220,
Подробнее
Артикул: PSMN035-150P,127
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: MOSFET N-CH 150V 50A SOT78,
Подробнее
Артикул: BC807-25,215
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: NEXPERIA BC807-25 - SMALL SIGNAL, Bipolar (BJT) Transistor PNP 45 V 500 mA 80MHz 250 mW Surface Mount TO-236AB
Подробнее
Артикул: BZX84-C2V4,235
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: DIODE ZENER 2.4V 250MW TO236AB, Zener Diode 2.4 V 250 mW ±5% Surface Mount SOT-23
Подробнее
Артикул: BZX79-C10,113
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: NEXPERIA BZX79-C10 - ZENER DIODE, Zener Diode 10 V 400 mW ±5% Through Hole ALF2
Подробнее