г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

PDTA113EU,115 NXP Semiconductors

Артикул
PDTA113EU,115
Бренд
NXP Semiconductors
Описание
NOW NEXPERIA PDTA113EU - SMALL S, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 mW Surface Mount SOT-323
Цена
3 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с предварительной изоляцией
Image
files/PDTA113EU115.jpg
Resistor - Base (R1)
1 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 40mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
150mV @ 1.5mA, 30mA
Transistor Type
PNP - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V
Power - Max
200 mW
Supplier Device Package
SOT-323
Standard Package
1
Other Names
2156-PDTA113EU,115,NEXNEXPDTA113EU,115
HTSUS
0000.00.0000
Package / Case
SC-70, SOT-323
Mounting Type
Surface Mount
Part Status
Active
Package
Bulk
Series
-
Resistor - Emitter Base (R2)
1 kOhms

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: MRF6V2300NBR1
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: FET RF 110V 220MHZ TO-272-4, RF Mosfet LDMOS 50 V 900 mA 220MHz 25.5dB 300W TO-272 WB-4
Подробнее
Артикул: BZX79-C5V1,133
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: DIODE ZENER 5.1V 400MW ALF2,
Подробнее
Артикул: MRF7S18170HR3
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: FET RF 65V 1.81GHZ NI-880, RF Mosfet LDMOS 28 V 1.4 A 1.81GHz 17.5dB 50W NI-880H-2L
Подробнее
Артикул: 2N7000,126
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3, N-Channel 60 V 300mA (Tc) 830mW (Ta) Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: BAP65-05
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: PIN DIODE, 30V V(BR), SILICON, T, RF Diode PIN - 1 Pair Common Cathode 30V 100 mA 250 mW SOT-23 (TO-236AB)
Подробнее
Артикул: BF245B,126
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: JFET N-CH 30V 15MA TO92, RF Mosfet N-Channel JFET 15 V 100MHz - - TO-92-3
Подробнее