PSMN4R3-80PS,127 NXP Semiconductors
Артикул
PSMN4R3-80PS,127
Бренд
NXP Semiconductors
Описание
NEXPERIA PSMN4R3-80PS - 120A, 80, N-Channel 80 V 120A (Tc) 306W (Tc) Through Hole TO-220AB
Цена
208 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/PSMN4R3-80PS127.jpg
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.3mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
111 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
8161 pF @ 40 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package
TO-220AB
Series
-
Package
Bulk
Part Status
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
Other Names
2156-PSMN4R3-80PS,127-954
Standard Package
1
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-3
Power Dissipation (Max)
306W (Tc)
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут