г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

PSMN8R040PS127 NXP Semiconductors

Артикул
PSMN8R040PS127
Бренд
NXP Semiconductors
Описание
MOSFET N-CH 40V 77A TO220AB, N-Channel 40 V 77A (Ta) 86W (Ta) Through Hole TO-220AB
Цена
64 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/PSMN8R040PS127.jpg
Supplier Device Package
TO-220AB
Power Dissipation (Max)
86W (Ta)
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
77A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.6mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1262 pF @ 12 V
Standard Package
1
Other Names
NEXNXPPSMN8R040PS127,2156-PSMN8R040PS127
Series
-
Package
Bulk
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-3
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
FET Feature
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BZX84-C6V2,215
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: DIODE ZENER 6.2V 250MW TO236AB,
Подробнее
Артикул: 1N4735A,113
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: DIODE ZENER 6.2V 1W DO41,
Подробнее
Артикул: MRF8VP13350NR5
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: RF POWER LDMOS TRANSISTOR 700-13, RF Mosfet LDMOS 50 V 100 mA 700MHz ~ 1.3GHz 19.2dB 350W OM-780G-4L
Подробнее
Артикул: BCX70J,215
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: NEXPERIA BCX70J - SMALL SIGNAL B, Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 100 mA 250MHz 250 mW Surface Mount TO-236AB
Подробнее
Артикул: BAS70-04,215
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: DIODE SCHOTTKY 70V 70MA TO236AB,
Подробнее
Артикул: A2G35S200-01SR3
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR, RF Mosfet GaN HEMT 48 V 291 mA 3.4GHz ~ 3.6GHz 16.1dB 180W NI-400S-2S
Подробнее