г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N4401BU onsemi

Артикул
2N4401BU
Бренд
onsemi
Описание
TRANS NPN 40V 600MA TO92-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 600 mA 250MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
Цена
60 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/2N4401BU.jpg
Other Names
2156-2N4401BU-OS,2N4401,2N4401-NDR
Supplier Device Package
TO-92-3
Transistor Type
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
40 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
750mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max)
-
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 1V
Power - Max
625 mW
Frequency - Transition
250MHz
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
-
Package
Bulk
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Standard Package
10,000
Base Product Number
2N4401
REACH Status
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BDX33C
Бренд: onsemi
Описание: NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 10 A - 70 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: 1N759A
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 12V 500MW DO35, Zener Diode 12 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: FDZ7296
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 30V 11A 18BGA, N-Channel 30 V 11A (Ta) 2.1W (Ta) Surface Mount 18-BGA (2.5x4)
Подробнее
Артикул: NGTB50N60S1WG
Бренд: onsemi
Описание: IGBT 50A 600V TO-247, IGBT Trench 600 V 100 A 417 W Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: BSS123
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3, N-Channel 100 V 170mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: TIP48G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 300V 1A TO220AB, Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 1 A 10MHz 2 W Through Hole TO-220
Подробнее