г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N5555 onsemi

Артикул
2N5555
Бренд
onsemi
Описание
JFET N-CH 25V 15MA TO92, RF Mosfet N-Channel JFET - - - TO-92-3
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - RF, Транзисторы - FETs, MOSFETs - RF
Image
files/2N5555.jpg
Noise Figure
-
Gain
-
Frequency
-
REACH Status
REACH Unaffected
Transistor Type
N-Channel JFET
Current Rating (Amps)
15mA
Supplier Device Package
TO-92-3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Base Product Number
2N5555
Standard Package
2,000
HTSUS
8541.21.0095
ECCN
EAR99
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Voltage - Rated
25 V
Part Status
Obsolete
Package
Bulk
Series
-
Power - Output
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: MJ21195G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 250V 16A TO204, Bipolar (BJT) Transistor PNP 250 V 16 A 4MHz 250 W Through Hole TO-204 (TO-3)
Подробнее
Артикул: FQP30N06L
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 60V 32A TO220-3, N-Channel 60 V 32A (Tc) 79W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: BAS20LT3G
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GP 200V 200MA SOT23-3, Diode Standard 200 V 200mA (DC) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: MJE3055T
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 60V 10A TO220AB, Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 10 A 2MHz 75 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: NTPF150N65S3HF
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 650V 24A TO220FP, N-Channel 650 V 24A (Tc) 192W (Tc) Through Hole TO-220FP
Подробнее
Артикул: MURS120T3G
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 200V 1A SMB, Diode Standard 200 V 1A Surface Mount SMB
Подробнее