г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BC63916-D27Z onsemi

Артикул
BC63916-D27Z
Бренд
onsemi
Описание
TRANS NPN 80V 1A TO-92, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 1 A 100MHz 1 W Through Hole TO-92-3
Цена
22 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/BC63916-D27Z.jpg
Other Names
BC63916_D27ZTR-ND,BC63916_D27ZTR,BC63916_D27ZCT-ND,BC63916_D27ZCT,BC63916_D27Z,BC63916-D27ZTR,BC63916_D27ZDKR,BC63916_D27ZDKR-ND,BC63916_D27ZDKRINACTIVE,BC63916-D27ZDKRINACTIVE,BC63916_D27Z-ND,BC63916_D27ZDKRINACTIVE-ND,BC63916-D27ZCT
Supplier Device Package
TO-92-3
Transistor Type
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 2V
Power - Max
1 W
Frequency - Transition
100MHz
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Standard Package
2,000
Base Product Number
BC63916
REACH Status
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: FDMA86551L
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 60V 7.5A 6MICROFET, N-Channel 60 V 7.5A (Ta) 2.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
Подробнее
Артикул: FDG6320C
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N/P-CH 25V 220/140MA SC88, Mosfet Array N and P-Channel 25V 220mA, 140mA 300mW Surface Mount SC-88 (SC-70-6)
Подробнее
Артикул: HGTG10N120BND
Бренд: onsemi
Описание: IGBT NPT 1200V 35A TO247-3, IGBT NPT 1200 V 35 A 298 W Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: FDFS2P103A
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC, P-Channel 30 V 5.3A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: FDS6670AS
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 30V 13.5A 8SOIC, N-Channel 30 V 13.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: FDMS8026S
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 30V 19A/22A 8PQFN, N-Channel 30 V 19A (Ta), 22A (Tc) 2.5W (Ta), 41W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Подробнее