г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BC856BLT1 onsemi

Артикул
BC856BLT1
Бренд
onsemi
Описание
TRANS PNP 65V 100MA SOT23, Bipolar (BJT) Transistor
Цена
7 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/BC856BLT1.jpg
Other Names
BC856BLT1OSCT,ONSONSBC856BLT1,BC856BLT1OSTR,2156-BC856BLT1-ONTR
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
RoHS non-compliant
Base Product Number
BC856
Standard Package
3,000
HTSUS
8541.29.0095
ECCN
EAR99
Part Status
Obsolete
Package
Cut Tape (CT)
Series
*
REACH Status
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: FDMC8030
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET 2N-CH 40V 12A 8POWER33, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 12A 800mW Surface Mount 8-Power33 (3x3)
Подробнее
Артикул: IRF720
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 400V 3.3A TO220AB, N-Channel 400 V 3.3A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: GBPC2504W
Бренд: onsemi
Описание: BRIDGE RECT 1P 400V 25A GBPC-W, Bridge Rectifier Single Phase Standard 400 V Through Hole GBPC-W
Подробнее
Артикул: FDPF18N20FT
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 200V 18A TO220F, N-Channel 200 V 18A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Подробнее
Артикул: BSS123LT3G
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3, N-Channel 100 V 170mA (Ta) 225mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: MMBD4148CA
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23, Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 100 V 200mA Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Подробнее