г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BD137G onsemi

Артикул
BD137G
Бренд
onsemi
Описание
TRANS NPN 60V 1.5A TO-225AA, Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 1.5 A - 1.25 W Through Hole TO-126
Цена
117 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/BD137G.jpg
Other Names
ONSONSBD137G,BD137GOS,2156-BD137G-OS,BD137G-ND
Supplier Device Package
TO-126
Transistor Type
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 150mA, 2V
Power - Max
1.25 W
Frequency - Transition
-
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
-
Package
Bulk
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-225AA, TO-126-3
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
500
Base Product Number
BD137
REACH Status
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: MPSW63
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP DARL 30V 0.5A TO92, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 30 V 500 mA 125MHz 1 W Through Hole TO-92 (TO-226)
Подробнее
Артикул: FDU8780
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 25V 35A I-PAK, N-Channel 25 V 35A (Tc) 50W (Tc) Through Hole I-PAK
Подробнее
Артикул: SMMSD914T3G
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD123, Diode Standard 100 V 200mA Surface Mount SOD-123
Подробнее
Артикул: NVMFS6H852NT1G
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 80V 10A/40A 5DFN, N-Channel 80 V 10A (Ta), 40A (Tc) 3.6W (Ta), 54W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Подробнее
Артикул: MMBFJ270
Бренд: onsemi
Описание: JFET P-CH 30V 0.225W SOT23, JFET P-Channel 30 V 225 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: FFSP20120A
Бренд: onsemi
Описание: DIODE SCHOT 1200V 20A TO220-2L, Diode Silicon Carbide Schottky 1200 V 20A Through Hole TO-220-2L
Подробнее