г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BD435S onsemi

Артикул
BD435S
Бренд
onsemi
Описание
TRANS NPN 32V 4A TO-126, Bipolar (BJT) Transistor NPN 32 V 4 A 3MHz 36 W Through Hole TO-126-3
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/BD435S.jpg
Other Names
2832-BD435S-488,2156-BD435S-488
Supplier Device Package
TO-126-3
Transistor Type
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
32 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max)
100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 10mA, 5V
Power - Max
36 W
Frequency - Transition
3MHz
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
-
Package
Bulk
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-225AA, TO-126-3
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
2,000
Base Product Number
BD435
REACH Status
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BC33740BU
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 45V 800MA TO92-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 800 mA 100MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: FGH60N60SMD-F085
Бренд: onsemi
Описание: IGBT 600V 120A 600W TO247, IGBT Field Stop 600 V 120 A 600 W Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: FFA60UP20DNTU
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ARRAY GP 200V 30A TO3PN, Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 200 V 30A Through Hole TO-3P-3, SC-65-3
Подробнее
Артикул: TIG056BF-1E
Бренд: onsemi
Описание: IGBT 430V TO220F-3FS, IGBT - 430 V 30 W Through Hole TO-220F-3FS
Подробнее
Артикул: 2N5462
Бренд: onsemi
Описание: JFET P-CH 40V 0.35W TO92, JFET P-Channel 40 V 350 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
Подробнее
Артикул: SVC270-TL-E
Бренд: onsemi
Описание: DIODE FM VARICAP TWIN 16V MCP3, Varactors 1 Pair Common Cathode 16 V Surface Mount 3-MCPH
Подробнее