г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BD681G onsemi

Артикул
BD681G
Бренд
onsemi
Описание
TRANS NPN DARL 100V 4A TO225AA, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 4 A - 40 W Through Hole TO-126
Цена
157 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/BD681G.jpg
Other Names
2156-BD681G-OS,BD681GOS,ONSONSBD681G
Supplier Device Package
TO-126
Transistor Type
NPN - Darlington
Current - Collector (Ic) (Max)
4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
2.5V @ 30mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max)
500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
750 @ 1.5A, 3V
Power - Max
40 W
Frequency - Transition
-
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
-
Package
Bulk
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-225AA, TO-126-3
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
500
Base Product Number
BD681
REACH Status
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: MJL21195G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 250V 16A TO264, Bipolar (BJT) Transistor PNP 250 V 16 A 4MHz 200 W Through Hole TO-264
Подробнее
Артикул: MMDL914T1
Бренд: onsemi
Описание: DIODE SWITCH FAST 100V SOD323, Diode Standard 100 V 200mA (DC) Surface Mount SOD-323
Подробнее
Артикул: NDS9945
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 3.5A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: HGTP7N60A4
Бренд: onsemi
Описание: IGBT 600V 34A TO220-3, IGBT - 600 V 34 A 125 W Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: FMB100
Бренд: onsemi
Описание: FMB100 - NPN MULTI-CHIP GENERAL, Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 500 mA 300MHz 700 mW Surface Mount SuperSOT™-6
Подробнее
Артикул: FDH300
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35, Diode Standard 125 V 200mA Through Hole DO-35
Подробнее