г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BU323Z onsemi

Артикул
BU323Z
Бренд
onsemi
Описание
TRANS NPN DARL 350V 10A TO-218, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 350 V 10 A 2MHz 150 W Through Hole SOT-93
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/BU323Z.jpg
Other Names
2156-BU323Z-ON,ONSONSBU323Z
Supplier Device Package
SOT-93
Transistor Type
NPN - Darlington
Current - Collector (Ic) (Max)
10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
350 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.7V @ 250mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max)
100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
500 @ 5A, 4.6V
Power - Max
150 W
Frequency - Transition
2MHz
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
RoHS non-compliant
Series
-
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-65°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-218-3
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
30
Base Product Number
BU323
REACH Status
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: KSC3503ESTU
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 300V 0.1A TO-126, Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 100 mA 150MHz 7 W Through Hole TO-126-3
Подробнее
Артикул: 2SD879
Бренд: onsemi
Описание: TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: MCR25MG
Бренд: onsemi
Описание: SILICON CONTROLLED RECTIFIER,
Подробнее
Артикул: MTP6P20E
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET P-CH 200V 6A TO220AB, P-Channel 200 V 6A (Tc) 75W (Tc) Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: NGTB40N60FLWG
Бренд: onsemi
Описание: IGBT 600V 80A 257W TO247, IGBT Trench Field Stop 600 V 80 A 257 W Through Hole TO-247
Подробнее
Артикул: FDMS0310AS
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 30V 19A/22A 8PQFN, N-Channel 30 V 19A (Ta), 22A (Tc) 2.5W (Ta), 41W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Подробнее