г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BZX55C5V1 onsemi

Артикул
BZX55C5V1
Бренд
onsemi
Описание
DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35, Zener Diode 5.1 V 500 mW ±6% Through Hole DO-35
Цена
36 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Zener - Single, Диоды - диоды Зенера - одиночные
Image
files/BZX55C5V1.jpg
Base Product Number
BZX55C5
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Supplier Device Package
DO-35
Power - Max
500 mW
REACH Status
REACH Unaffected
Voltage - Zener (Nom) (Vz)
5.1 V
Impedance (Max) (Zzt)
35 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr
100 nA @ 1 V
Standard Package
1,000
HTSUS
8541.10.0050
Series
-
Package
Bulk
Part Status
Obsolete
Tolerance
±6%
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
DO-204AH, DO-35, Axial
ECCN
EAR99
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1.3 V @ 100 mA

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: 2SB1406-AN
Бренд: onsemi
Описание: PNP 1.5A 50V DARLINGTON, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: 1SMB5929BT3G
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 15V 3W SMB, Zener Diode 15 V 3 W ±5% Surface Mount SMB
Подробнее
Артикул: BD135G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 45V 1.5A TO225AA, Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 1.5 A - 1.25 W Through Hole TO-126
Подробнее
Артикул: NGTB15N60S1EG
Бренд: onsemi
Описание: IGBT 600V 30A 117W TO220-3, IGBT NPT 600 V 30 A 117 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BC857BMTF
Бренд: onsemi
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,, Bipolar (BJT) Transistor PNP 45 V 100 mA 150MHz 310 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: FCP20N60
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 600V 20A TO220-3, N-Channel 600 V 20A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее