г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FCD360N65S3R0 onsemi

Артикул
FCD360N65S3R0
Бренд
onsemi
Описание
MOSFET N-CH 650V 10A DPAK, N-Channel 650 V 10A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252)
Цена
295 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/FCD360N65S3R0.jpg
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
360mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
730 pF @ 400 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
83W (Tc)
Supplier Device Package
D-PAK (TO-252)
Other Names
FCD360N65S3R0OSTR,FCD360N65S3R0-ND,FCD360N65S3R0OSCT,2156-FCD360N65S3R0-OS,ONSONSFCD360N65S3R0,FCD360N65S3R0OSDKR
Series
SuperFET® III
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
2,500
Base Product Number
FCD360
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: NSR20204NXT5G
Бренд: onsemi
Описание: DIODE SCHOTTKY 20V 2A 2DSN, Diode Schottky 20 V 2A (DC) Surface Mount 2-DSN (1x0.6), (0402)
Подробнее
Артикул: FGA15S125P
Бренд: onsemi
Описание: IGBT TRENCH 1250V 30A TO3P, IGBT Trench 1250 V 30 A 136 W Through Hole TO-3P
Подробнее
Артикул: FCB20N60TM
Бренд: onsemi
Описание: FCB20N60 - N-CHANNEL, SUPERFET,, N-Channel 600 V 20A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount D?PAK (TO-263)
Подробнее
Артикул: FGA15N120ANTDTU
Бренд: onsemi
Описание: IGBT 1200V 30A 186W TO3P, IGBT NPT and Trench 1200 V 30 A 186 W Through Hole TO-3P
Подробнее
Артикул: BCP56T1G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 80V 1A SOT223, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 1 A 130MHz 1.5 W Surface Mount SOT-223 (TO-261)
Подробнее
Артикул: MMUN2132LT1G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 246 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее