г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FCH041N60E onsemi

Артикул
FCH041N60E
Бренд
onsemi
Описание
MOSFET N-CH 600V 77A TO247-3, N-Channel 600 V 77A (Tc) 592W (Tc) Through Hole TO-247-3
Цена
2 000 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/FCH041N60E.jpg
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
77A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
41mOhm @ 39A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
380 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
13700 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
592W (Tc)
Supplier Device Package
TO-247-3
Other Names
2156-FCH041N60E-OS,FAIFSCFCH041N60E
Series
SuperFET® II
Package
Tube
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-247-3
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
450
Base Product Number
FCH041
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: FSAM30SH60A
Бренд: onsemi
Описание: SMART POWER MODULE 30A SPM32-AA, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 30 A 32-PowerDIP Module (1.370", 34.80mm)
Подробнее
Артикул: MJL21193G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 250V 16A TO264, Bipolar (BJT) Transistor PNP 250 V 16 A 4MHz 200 W Through Hole TO-264
Подробнее
Артикул: BC548BG
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 30V 0.1A TO-92, Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 100 mA 300MHz 625 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
Подробнее
Артикул: IRF520
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB, N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: NSR10F40NXT5G
Бренд: onsemi
Описание: DIODE SCHOTTKY 40V 1A 2DSN, Diode Schottky 40 V 1A (DC) Surface Mount 2-DSN (1.4x0.6)
Подробнее
Артикул: FJN3301RTA
Бренд: onsemi
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,, Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 100 mA 250MHz 300 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее