г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FCH165N60E onsemi

Артикул
FCH165N60E
Бренд
onsemi
Описание
MOSFET N-CH 600V 23A TO247-3, N-Channel 600 V 23A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-247-3
Цена
694 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/FCH165N60E.jpg
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
23A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
165mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2434 pF @ 380 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
227W (Tc)
Supplier Device Package
TO-247-3
Other Names
FCH165N60E-ND,FCH165N60EOS
Series
SuperFET® II
Package
Tube
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-247-3
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
450
Base Product Number
FCH165
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: TIP146
Бренд: onsemi
Описание: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 10 A - 125 W Through Hole TO-218
Подробнее
Артикул: MUR1660CT
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ARRAY GP 600V 8A TO220AB, Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 600 V 8A Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: MJE253G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 100V 4A TO225AA, Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 4 A 40MHz 1.5 W Through Hole TO-126
Подробнее
Артикул: MPSA06RA
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 80V 500MA TO92-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 500 mA 100MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: BZX84C2V4LT1G
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 2.4V 250MW SOT23-3, Zener Diode 2.4 V 250 mW ±8% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: BZX55C24
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 24V 500MW DO35, Zener Diode 24 V 500 mW ±6% Through Hole DO-35
Подробнее