г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FCH165N60E onsemi

Артикул
FCH165N60E
Бренд
onsemi
Описание
MOSFET N-CH 600V 23A TO247-3, N-Channel 600 V 23A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-247-3
Цена
694 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/FCH165N60E.jpg
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
23A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
165mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2434 pF @ 380 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
227W (Tc)
Supplier Device Package
TO-247-3
Other Names
FCH165N60E-ND,FCH165N60EOS
Series
SuperFET® II
Package
Tube
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-247-3
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
450
Base Product Number
FCH165
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: MMBT5401LT1G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 150V 500MA SOT23-3, Bipolar (BJT) Transistor PNP 150 V 500 mA 300MHz 300 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: FGH40T120SMD-F155
Бренд: onsemi
Описание: IGBT 1200V 80A 555W TO247-3, IGBT Trench Field Stop 1200 V 80 A 555 W Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: BC639G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 80V 1A TO-92, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 1 A 200MHz 625 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
Подробнее
Артикул: DTA114EET1G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC75, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 mW Surface Mount SC-75, SOT-416
Подробнее
Артикул: VEC2616-TL-H
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8, Mosfet Array N and P-Channel 60V 3A, 2.5A 1W Surface Mount SOT-28FL/VEC8
Подробнее
Артикул: PN2222ATA
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 40V 1A TO92-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 1 A 300MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее