г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FDA50N50 onsemi

Артикул
FDA50N50
Бренд
onsemi
Описание
MOSFET N-CH 500V 48A TO3PN, N-Channel 500 V 48A (Tc) 625W (Tc) Through Hole TO-3PN
Цена
1 178 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/FDA50N50.jpg
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
48A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
105mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
137 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6460 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
625W (Tc)
Supplier Device Package
TO-3PN
Other Names
FAIFSCFDA50N50,2156-FDA50N50-OS
Series
UniFET™
Package
Tube
Part Status
Last Time Buy
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
30
Base Product Number
FDA50
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: KSA1220AYS
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 160V 1.2A TO-126, Bipolar (BJT) Transistor PNP 160 V 1.2 A 175MHz 1.2 W Through Hole TO-126
Подробнее
Артикул: 2N6045G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN DARL 100V 8A TO220AB, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 8 A - 75 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: FGY75T120SQDN
Бренд: onsemi
Описание: IGBT 1200V 75A UFS, IGBT Field Stop 1200 V 150 A 790 W Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: FQP19N20
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 200V 19.4A TO220-3, N-Channel 200 V 19.4A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: NTB25P06T4G
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK, P-Channel 60 V 27.5A (Ta) 120W (Tj) Surface Mount D?PAK
Подробнее
Артикул: 1N4938
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35, Diode Standard 200 V 500mA Through Hole DO-35
Подробнее