г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FDB33N25TM onsemi

Артикул
FDB33N25TM
Бренд
onsemi
Описание
MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK, N-Channel 250 V 33A (Tc) 235W (Tc) Surface Mount D?PAK (TO-263)
Цена
394 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/FDB33N25TM.jpg
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
250 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
94mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2135 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
235W (Tc)
Supplier Device Package
D?PAK (TO-263)
Other Names
FDB33N25TMDKR,2156-FDB33N25TM-OS,FAIFSCFDB33N25TM,FDB33N25TMCT,FDB33N25TMTR
Series
UniFET™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
800
Base Product Number
FDB33N25
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: MMBD1405
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ARRAY GP 200V 200MA SOT23, Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 200 V 200mA Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Подробнее
Артикул: BC516-D27Z
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP DARL 30V 1A TO-92, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 30 V 1 A 200MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: MURS160T3G
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 600V 1A SMB, Diode Standard 600 V 1A Surface Mount SMB
Подробнее
Артикул: MUN2111T1
Бренд: onsemi
Описание: TRANS BRT PNP 100MA 50V SC59, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
Подробнее
Артикул: 1N5374B
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 75V 5W AXIAL, Zener Diode 75 V 5 W ±5% Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: NDP7060
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 60V 75A TO220-3, N-Channel 60 V 75A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее