г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FDC6401N onsemi

Артикул
FDC6401N
Бренд
onsemi
Описание
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 3A 700mW Surface Mount SuperSOT™-6
Цена
112 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/FDC6401N.jpg
Supplier Device Package
SuperSOT™-6
Power - Max
700mW
FET Type
2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
70mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
4.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
324pF @ 10V
FET Feature
Standard
Other Names
FDC6401NTR,FDC6401NCT,FDC6401NDKR,FDC6401N-ND
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
PowerTrench®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Standard Package
3,000
Base Product Number
FDC6401
REACH Status
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: MJ15002
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 140V 15A TO-3, Bipolar (BJT) Transistor PNP 140 V 15 A 2MHz 200 W Through Hole TO-204 (TO-3)
Подробнее
Артикул: FJN3301RTA
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 50V 0.1A TO-92, Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 100 mA 250MHz 300 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: FGA30S120P
Бренд: onsemi
Описание: IGBT TRENCH/FS 1300V 60A TO3PN, IGBT Trench Field Stop 1300 V 60 A 348 W Through Hole TO-3PN
Подробнее
Артикул: 1N4006GP
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41, Diode Standard 800 V 1A Through Hole DO-41
Подробнее
Артикул: MBRM120ET3
Бренд: onsemi
Описание: DIODE SCHOTTKY 20V 1A POWERMITE, Diode Schottky 20 V 1A Surface Mount Powermite
Подробнее
Артикул: FDFS2P102A
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET P-CH 20V 3.3A 8SOIC, P-Channel 20 V 3.3A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Подробнее