FDD10N20LZTM onsemi
Артикул
FDD10N20LZTM
Бренд
onsemi
Описание
MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK, N-Channel 200 V 7.6A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Цена
167 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/FDD10N20LZTM.jpg
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
7.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
360mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
585 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
83W (Tc)
Supplier Device Package
TO-252AA
Other Names
FAIFSCFDD10N20LZTM,2156-FDD10N20LZTM-OS,FDD10N20LZTM-ND,FDD10N20LZTMTR,FDD10N20LZTMCT,FDD10N20LZTMDKR
Series
UniFET™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Last Time Buy
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
2,500
Base Product Number
FDD10N20
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут