г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FDD13AN06A0 onsemi

Артикул
FDD13AN06A0
Бренд
onsemi
Описание
MOSFET N-CH 60V 9.9A/50A DPAK, N-Channel 60 V 9.9A (Ta), 50A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Цена
284 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/FDD13AN06A0.jpg
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
9.9A (Ta), 50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1350 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
115W (Tc)
Supplier Device Package
TO-252AA
Other Names
FDD13AN06A0DKR,FDD13AN06A0-ND,FDD13AN06A0CT,FDD13AN06A0TR
Series
PowerTrench®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
2,500
Base Product Number
FDD13AN06
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: FDMS3660S
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET 2N-CH 30V 30A/60A POWER56, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 30A, 60A 1W Surface Mount Power56
Подробнее
Артикул: 2N3904
Бренд: onsemi
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 200 mA 300MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: MJE172G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 80V 3A TO225AA, Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 3 A 50MHz 1.5 W Through Hole TO-126
Подробнее
Артикул: MUN5314DW1T1G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA - 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Подробнее
Артикул: BZX55C10
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 10V 500MW DO35, Zener Diode 10 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: MMBT4403LT3G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 40V 600MA SOT23-3, Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 600 mA 200MHz 300 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее