г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FDD16AN08A0 onsemi

Артикул
FDD16AN08A0
Бренд
onsemi
Описание
MOSFET N-CH 75V 9A/50A DPAK, N-Channel 75 V 9A (Ta), 50A (Tc) 135W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Цена
282 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/FDD16AN08A0.jpg
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
75 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
9A (Ta), 50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1874 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
135W (Tc)
Supplier Device Package
TO-252AA
Other Names
FDD16AN08A0TR,FDD16AN08A0-ND,2156-FDD16AN08A0-OS,FDD16AN08A0DKR,FDD16AN08A0CT
Series
UltraFET™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
2,500
Base Product Number
FDD16AN08
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BSS100
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 100V 220MA TO92-3, N-Channel 100 V 220mA (Ta) Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: FGH15T120SMD-F155
Бренд: onsemi
Описание: IGBT 1200V 30A 333W TO247-3, IGBT Trench Field Stop 1200 V 30 A 333 W Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: MJE5851G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 350V 8A TO220AB, Bipolar (BJT) Transistor PNP 350 V 8 A - 80 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: MMBT4401
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 40V 0.6A SOT-23, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 600 mA 250MHz 350 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: FCP130N60
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 600V 28A TO220-3, N-Channel 600 V 28A (Tc) 278W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: FGL60N100BNTD
Бренд: onsemi
Описание: IGBT 1000V 60A 180W TO264, IGBT NPT and Trench 1000 V 60 A 180 W Through Hole TO-264-3
Подробнее