г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FDD3N40TM onsemi

Артикул
FDD3N40TM
Бренд
onsemi
Описание
MOSFET N-CH 400V 2A DPAK, N-Channel 400 V 2A (Tc) 30W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Цена
153 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/FDD3N40TM.jpg
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
400 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.4Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
225 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
30W (Tc)
Supplier Device Package
TO-252AA
Other Names
2156-FDD3N40TM-OS,FDD3N40TMCT,FDD3N40TMTR,FDD3N40TMDKR,ONSONSFDD3N40TM
Series
UniFET™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
2,500
Base Product Number
FDD3N40
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: MJE340G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 300V 500MA TO225AA, Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 500 mA - 20 W Through Hole TO-126
Подробнее
Артикул: FGH40T65SQD-F155
Бренд: onsemi
Описание: IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO247-3, IGBT Trench Field Stop 650 V 80 A 238 W Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: MJ11012G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN DARL 60V 30A TO204, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60 V 30 A 4MHz 200 W Through Hole TO-204 (TO-3)
Подробнее
Артикул: FSBB20CH60C
Бренд: onsemi
Описание: MODULE SPM 600V 20A 27PWRDIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 20 A 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm)
Подробнее
Артикул: FQPF9N50C
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 500V 9A TO220F, N-Channel 500 V 9A (Tc) 44W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Подробнее
Артикул: BC560C
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 45V 0.1A TO-92, Bipolar (BJT) Transistor PNP 45 V 100 mA 250MHz 625 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
Подробнее