FDMD85100 onsemi
Артикул
FDMD85100
Бренд
onsemi
Описание
MOSFET 2N-CH 100V, Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 100V 10.4A 2.2W Surface Mount Power56
Цена
313 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/FDMD85100.jpg
Supplier Device Package
Power56
Power - Max
2.2W
FET Type
2 N-Channel (Half Bridge)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
10.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.9mOhm @ 10.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
31nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2230pF @ 50V
FET Feature
Standard
Other Names
FDMD85100DKR,FDMD85100CT,FDMD85100TR
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
PowerTrench®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
8-PowerWDFN
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
3,000
Base Product Number
FDMD85
REACH Status
REACH Unaffected
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут