г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FDN352AP onsemi

Артикул
FDN352AP
Бренд
onsemi
Описание
MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3, P-Channel 30 V 1.3A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Цена
93 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/FDN352AP.jpg
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1.3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 1.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
1.9 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
150 pF @ 15 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
500mW (Ta)
Supplier Device Package
SOT-23-3
Other Names
FDN352APTR,FDN352AP-ND,FDN352APDKR,FDN352APCT,2156-FDN352AP-OS
Series
PowerTrench®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Standard Package
3,000
Base Product Number
FDN352
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BC549BTA
Бренд: onsemi
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,, Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 100 mA 300MHz 500 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: NTD3055-150
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CHAN 9A 60V DPAK,
Подробнее
Артикул: MJ11032
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN DARL 120V 50A TO3, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 120 V 50 A - 300 W Through Hole TO-204 (TO-3)
Подробнее
Артикул: MJD122T4
Бренд: onsemi
Описание: TRANS DARL NPN 8A 100V DPAK, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 8 A 4MHz 20 W Surface Mount DPAK
Подробнее
Артикул: BCP56-10T1G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 80V 1A SOT223, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 1 A 130MHz 1.5 W Surface Mount SOT-223 (TO-261)
Подробнее
Артикул: RFD3055LE
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 60V 11A IPAK, N-Channel 60 V 11A (Tc) 38W (Tc) Through Hole I-PAK
Подробнее