г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FDP045N10A-F102 onsemi

Артикул
FDP045N10A-F102
Бренд
onsemi
Описание
MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3, N-Channel 100 V 120A (Tc) 263W (Tc) Through Hole TO-220-3
Цена
760 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/FDP045N10A-F102.jpg
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5270 pF @ 50 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
263W (Tc)
Supplier Device Package
TO-220-3
Other Names
FDP045N10A_F102-ND,FDP045N10A_F102
Series
PowerTrench®
Package
Tube
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-3
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
800
Base Product Number
FDP045
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: NGTB40N60FLWG
Бренд: onsemi
Описание: IGBT 600V 80A 257W TO247, IGBT Trench Field Stop 600 V 80 A 257 W Through Hole TO-247
Подробнее
Артикул: FCPF20N60
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 600V 20A TO220F, N-Channel 600 V 20A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Подробнее
Артикул: BDX53CG
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN DARL 100V 8A TO220AB, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 8 A - 65 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: NTMFS4C022NT1G
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 30V 30A/136A 5DFN, N-Channel 30 V 30A (Ta), 136A (Tc) 3.1W (Ta), 64W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Подробнее
Артикул: FGPF4533
Бренд: onsemi
Описание: IGBT 330V 28.4W TO220-3FP, IGBT Trench 330 V 28.4 W Through Hole TO-220F-3
Подробнее
Артикул: BD243A
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 60V 6A TO-220, Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 6 A - 65 W Through Hole TO-220-3
Подробнее